Оперативная память для серверов

194 товара
Фильтры
Сортировка
Категории
Оперативная память
Цена, ₽
Производитель
Показать все
Самовывоз
Тип памяти DDR
Форм-фактор
Объем одного модуля
Показать все
Объём памяти комплекта
Показать все
Количество модулей в комплекте
Частота памяти
Показать все
CAS Latency (CL)
Показать все
Подсветка элементов платы
Радиатор
Напряжение питания
В реестре Минпромторга
Произведено в России
Код товара: 726060
Hynix original HMA84GR7AFR4N-VK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL19;
Тайминги: 19 19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
34 290
Код товара: 995972
Hynix original HMAA8GL7AMR4N-VK
Тип памяти: LRDIMM DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 21300 МБ/сек;
Самовывоз Послезавтра;
Доставка 22.06.2026
Способы получения
59 685
Код товара: 879788
Samsung M393A4K40EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
50 845
-6%
47 836
Код товара: 837683
Hynix original HMA84GR7MFR4N-UHTD
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2400 МГц;
Латентность: CL17;
Тайминги: 17 17 32;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 19200 МБ/сек;
Самовывоз Послезавтра;
Доставка 20.06.2026
Способы получения
29 753
Код товара: 740580
Samsung M393A8G40AB2-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
88 731
Код товара: 889090
Samsung M391A4G43BB1-CWE
Тип памяти: DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
44 749
Код товара: 890171
Samsung M393A2K40EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
30 789
-39%
18 689
Код товара: 1029828
Samsung M321R8GA0BB0-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
395 207
-43%
223 762
Код товара: 837948
Hynix original HMA84GR7CJR4N-WM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2933 МГц;
Латентность: CL21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 23400 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
36 900
Код товара: 724248
Hynix original HMA82GR7AFR8N-VK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL19;
Тайминги: 19 19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Послезавтра;
Доставка 20.06.2026
Способы получения
18 023
Код товара: 802992
Samsung M393A4K40DB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
96 786
-50%
48 607
Код товара: 935461
Micron MTA36ASF4G72PZ-3G2
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
57 099
Стало дешевле
Товар недавно подешевел
Код товара: 1100986
Samsung M321R8GA0PB0-CWM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 5600 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL40;
Тайминги: 40 40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
276 648
-19%
223 766
Код товара: 1155504
Hynix original HMA84GR7DJR4N-WM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2933 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 23400 МБ/сек;
Самовывоз Послезавтра;
Доставка 20.06.2026
Способы получения
36 867
Код товара: 854252
Samsung M393A8G40BB4-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
88 731
Стало дешевле
Товар недавно подешевел
Код товара: 802991
Samsung M386A8K40DM2-CWE
Тип памяти: LRDIMM DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
98 732
Код товара: 860617
Samsung M393AAG40M32-CAE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
238 331
Код товара: 1257818
Hynix original HMCG84MEBRA174N
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
149 208
-26%
110 650
Код товара: 1210113
Samsung M321R8GA0PB2-CCP
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 6400 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL52;
Пропускная способность: 51200 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
323 945
Код товара: 837950
Hynix original HMAA8GR7AJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
82 299
-6%
77 160
Код товара: 988174
Samsung M321R2GA3BB6-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка 22.06.2026
Способы получения
82 194
-17%
67 897
Код товара: 879787
Samsung M393A2K43EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Сегодня;
Доставка Завтра
Способы получения
62 000
-6%
58 347
Код товара: 1251115
Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL22;
Тайминги: 22 22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Завтра;
Доставка 22.06.2026
Способы получения
27 548
-19%
22 323
Код товара: 1240643
Micron MTC20F2085S1RC48BA1
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Завтра;
Доставка Послезавтра
Способы получения
157 274
-35%
101 710