График работы
10:00 — 18:00

Закажите обратный звонок мы перезвоним в течение 15 минут

SSD Transcend MTE110S: производительность, превосходящая все ожидания

27.07.2018

Новые твердотельные накопители серии Transcend MTE110S выполнены в соответствии со спецификацией NVMe 1.3 и оснащены интерфейсом PCI Express Gen3 x4 с поддержкой стандарта NVMe. Они демонстрируют выдающуюся производительность, которая пригодится рабочим станциям для обработки аудио и видео, игровым компьютерам и корпоративным решениям.

Transcend MTE110S

Transcend MTE110S

В продажу уже поступили модификации емкостью 128 и 256 ГБ, позже станет доступна старшая 512-ГБ версия.

Модель Transcend MTE110S
Интерфейс NVMe PCIe Gen3 x4
Тип памяти 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2263T
Емкость 128 / 256 / 512 ГБ
Максимальная скорость чтения 1 800 MБ/с
Максимальная скорость записи 1 500 MБ/с
Размеры 80 x 22 m x 3,58 мм
Вес 8 г

Твердотельный накопитель стандарта NVMe с памятью 3D TLC NAND

SSD Transcend MTE110S наделен интерфейсом PCI Express Gen3 x4 с поддержкой стандарта NVMe. В основе твердотельного накопителя лежит флэш-памяти 3D TLC NAND и контроллер Silicon Motion SM2263T.

Новая серия выполнена в форм-факторе M.2 2280: размеры SSD составляют 22 x 80 мм. Благодаря миниатюрности и скромной массе (SSD весят всего 8 г) они идеально подходят для портативных устройств, в том числе ноутбуков.

Transcend MTE110S

Transcend MTE110S

Высокий уровень производительности для наиболее требовательных решений

Накопители Transcend MTE110S соответствуют всем требованиям стандарта NVMe 1.3, позволяющему использовать для одновременной передачи и приема данных четыре линии. Новинка обеспечивает скорость чтения до 1 800 МБ/с и скорость записи до 1 500 МБ/с.

Долговечность и высокая надежность

Transcend MTE110S поддерживает эффективный алгоритм выявления и исправления ошибок ECC LDPC (Low-Density Parity Check), который повышает надежность хранения информации. Новые накопители отличаются долговечностью и высокой надежностью благодаря высококачественным микросхемам флэш-памяти NAND TLC и механизмам динамического регулирования производительности для предотвращения перегрева.

SSD, твердотельные накопители